BC847BQAZ دیتاشیت

BC847BQAZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC847BQAZ
حجم فایل 57.034 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت BC847BQAZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BC847BQAZ
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 280mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@100mA,5mA
  • Package: DFN-3(1x1)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه